‘차세대 유기메모리 셀’ 첫 개발

미래 성장동력으로 꼽히는 ‘차세대 테라비트급 비휘발성 유기 메모리 (Po램) 셀’이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

지식경제부의 ‘차세대 비휘발성 메모리 사업단’ 단장을 맡고 있는 박재근 한양대 전자컴퓨터공학부 교수는 “전도성 유기물 박막내 니켈 나노크리스탈을 장착한 이중 적층 다중레벨 셀을 개발하는 데 성공했다”고 8일 밝혔다.

Po램은 현재의 플래시 메모리를 대체할 향후 차세대 비휘발성 메모리로서의 역할뿐만 아니라 인공지능 중앙처리장치(CPU), 유연하고 입을 수 있는 반도체, 초고속 반도체 등을 비롯해 디지털 TV와 디지털 캠코더 등에 테라비트급 메모리 소자로 응용할 수 있다.

현재 각광을 받고 있는 플래시 메모리도 다양한 모바일 제품 등에 사용되고는 있으나 각종 데이터를 저장하는 시간이 너무 길어 정보의 임의 접근성이 현저히 떨어진다는 단점이 있다.

이번에 개발된 Po램 셀이 집적화 단계 이후 상용화에 성공할 경우 사업화 예상 연도인 2015년 한해 동안 연간 24억달러 이상의 매출이 발생할 것으로 기대된다.

박 교수는 “기존 메모리의 단점을 개선하기 위해 나노 스케일 구조와 온도 변화에 따른 소자의 전기적 특성 변화를 분석, 소자의 동작 메커니즘을 세계 최초로 규명했다”고 밝혔다.

박 교수팀의 이번 연구결과는 나노 분야에서 세계 최고의 영향력을 지닌 논문집 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 4월9일자에 게재된다.

박양수기자 yspark@munhwa.com