낸드플래시에 9兆… 삼성전자 공격투자 “메모리 반도체 초격차 유지”

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삼성전자가 ‘초격차 전략’을 앞세워 미래 메모리 반도체 시장을 선점하기 위해 경기 평택공장에 약 9조 원을 투자해 낸드플래시 생산라인을 구축한다.

삼성전자는 지난 5월 평택공장 2라인에 반도체 공정의 핵심 시설인 ‘클린룸’(공기 중 초미세입자를 제거하는 생산공간)을 짓는 공사에 착수했다고 1일 밝혔다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 오는 2021년 하반기부터 최첨단 V낸드플래시가 양산될 예정이다. 업계에 따르면 투자 규모는 9조 원 안팎으로 추정된다.

이번 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명이 시작된 가운데 5세대(G) 이동통신이 보급되자 낸드플래시의 중장기 수요가 늘어난 데 선제 대응하기 위해 결정된 것으로 전해졌다. 최근 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 사태로 비대면 문화가 확산하면서 낸드플래시 수요 증가세에 탄력이 붙자, 삼성전자는 공격적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해 나가겠다는 전략을 세웠다.

낸드플래시 투자는 지난달 21일 평택공장에 약 10조 원을 투자해 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 조성하겠다고 밝힌 지 11일 만에 나왔다. 재계는 투자 발표에 대해 이재용(사진) 삼성전자 부회장의 경영 철학과 혁신 의지가 반영된 것으로 보고 있다. 앞서 이 부회장은 지난달 6일 대국민 사과 기자회견에서 “끊임없는 혁신과 기술력으로 가장 잘할 수 있는 분야에 집중하면서도 신사업에 과감하게 도전하겠다”고 밝혔다. 지난 2015년 조성된 평택공장은 삼성전자의 차세대 메모리반도체 전초기지로, 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 건설되고 있다.

권도경 기자 kwon@munhwa.com