삼성, 3세대 D램 ‘초격차’… 메모리 불황 정면돌파

- 차세대 ‘10나노급 8기가비트 DDR4’ 세계 최초 개발

2세대 양산한 지 16개월만에
회로 크기 줄여 생산성 20%↑
경쟁업체에 2년 앞선 기술력
빠른 라인업전환으로 시장주도

삼성전자가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급 (1나노는 10억 분의 1m) D램’(사진)을 개발했다.

2세대 10나노급 D램을 양산한 지 16개월 만에 세대교체를 이뤄내면서 ‘초격차 전략’을 앞세워 불확실한 시황을 정면 돌파해 독주체제를 굳히겠다는 포석으로 풀이된다.

삼성전자는 ‘3세대 10나노급(1z) 8기가비트 DDR4 D램’을 업계 처음으로 개발했다고 21일 밝혔다. 이는 지난 2016년 2월 1세대 10나노급 D램 시대를 세계 최초로 연 데 이어, 반도체 미세 공정 난제를 다시 한 번 극복한 것이다.

가장 큰 특징은 기존 2세대 10나노급 D램보다 생산성을 20% 높였다는 것이다. 이는 반도체 회로 간격과 칩 크기를 줄인 결과다. 회로 굵기가 가늘수록 반도체 주재료인 웨이퍼에 새길 수 있는 칩의 수가 많아져 생산성이 높아진다. 같은 공정으로 더 많은 제품을 만들 수 있어 가격 경쟁력이 높아진다는 얘기다.

특히, 여기에는 미세공정에 유리한 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고 기존 불화아르곤 장비가 그대로 사용됐다. 이에 고가의 설비를 추가하지 않고도 3세대 10나노급 D램 양산이 가능해지면서 삼성전자 D램은 프리미엄 10나노급으로 전면 전환될 것으로 보인다.

삼성전자는 올 하반기부터 3세대 10나노급 D램을 본격 양산할 계획이다. 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 공급한다.

경쟁사와의 기술격차도 크게 벌어졌다. 삼성전자를 제외한 반도체 업체들은 아직 2세대 10나노급 D램도 양산하지 못한 만큼, 산술적으로는 2년가량 기술격차가 생긴 셈이다.

삼성전자는 차세대 프리미엄 D램 시장을 새로 만들면서 얼어붙은 메모리 반도체 시황을 정면 돌파하겠다는 전략이다. 삼성전자는 글로벌 주요 고객사들과 차세대 시스템 개발단계부터 협력해 글로벌 반도체 시장을 차세대 라인 업으로 빠르게 전환할 계획이다. 이에 현재 삼성전자는 글로벌 고객사의 공급 요구 수준에 맞춰 경기도 평택 반도체 공장의 최신 D램 라인 내 주력 제품 생산 비중을 확대하고 있다. 또 내년 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영한 양산 체제를 평택 공장에 구축해 초격차 기술 리더십을 강화할 방침이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “향후 프리미엄 D램 라인 업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 반도체 시장의 빠른 성장세 실현에 기여할 것”이라고 말했다.

권도경 기자 kwon@munhwa.com