“7세대 V낸드 3차원 스케일링으로 ‘기술 초격차’ 주도”

송재혁 삼성전자 플래시 실장

“체적 최대 35%까지 줄여
他업체 6세대 제품과 비슷”

“1000단 V낸드 시대에도 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품을 계속해서 선보여 시장을 주도하겠습니다.”

삼성전자에서 낸드플래시 개발을 맡고 있는 송재혁(사진) 플래시 개발실장(부사장)은 8일 뉴스룸 기고문을 통해 이처럼 기술에 대한 강한 자신감을 피력했다. 특히 메모리 반도체 1위 업체로서 기술 초격차를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.

송 부사장은 “데이터를 저장하는 용도의 낸드플래시 메모리는 과거에는 평면상에서 칩을 작게 구현하는 2차원 구조였다”며 “하지만 한정된 공간에 수많은 데이터를 담아야 하기 때문에 한계에 봉착했고 이에 삼성은 지난 2013년 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 이른바 ‘V낸드’를 세계 최초로 개발했다”고 말했다. 그는 이어 “V낸드도 언젠가는 높이의 한계에 마주하겠지만 삼성전자는 업계 최소로 셀 사이즈를 구현한 3차원 스케일링 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것”이라고 강조했다.

송 부사장은 핵심 기술과 관련해서는 “삼성전자의 7세대 V낸드의 경우 3차원 스케일링 기술을 통해 체적을 최대 35%까지 줄여 타 업체들의 6세대 제품과 높이가 비슷하다”며 “한 번에 100단 이상을 쌓아 십억 개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 ‘싱글 스택 에칭’ 기술을 보유한 유일한 업체로 향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보했다”고 설명했다.

송 부사장은 “200단이 넘는 8세대 V낸드 개발에도 박차를 가하고 있다”며 “동작 칩을 이미 확보하고 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 말했다.

올해 제품 출시 계획과 관련해서는 “업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 하반기에 출시할 계획”이라며 “최대 2.0Gbps의 데이터 입출력 성능과 4세대 PCIe(PCI Express) 인터페이스뿐만 아니라 5세대 PCIe 성능 요구까지 만족시킬 것”이라고 설명했다.

장병철 기자 jjangbeng@munhwa.com