SK하이닉스, TSMC와 협력… 2026년 6세대 HBM4 양산

SK하이닉스가 세계 반도체 파운드리(위탁생산) 1위 업체인 대만 TSMC와 손잡고 차세대 인공지능(AI) 메모리인 6세대 고대역폭메모리(HBM)4 개발에 나선다. 차세대 HBM에서 대반격을 노리는 삼성전자와 기술 경쟁이 더 치열해질 전망이다.

SK하이닉스는 두 회사가 대만 타이페이에서 이 같은 내용의 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 6세대 HBM4를 개발한다는 계획이다.

양 사는 우선 HBM 패키지의 최하단을 차지하는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 현존하는 최신 제품인 5세대 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다.

이승주 기자 sj@munhwa.com