K-HBM 위협하는 중국… 화웨이, 자체개발 제품 AI칩에 탑재

중국이 삼성·SK가 사실상 독점하고 있는 고성능 D램 시장을 넘어 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 시장까지 넘보고 있다. 이대로 가면 반도체조차 초격차 경쟁력 유지가 갈수록 어려워질 수 있다는 우려가 나온다.

23일 업계에 따르면 중국 화웨이는 내년 1분기 출시 예정인 신형 인공지능(AI) 반도체 ‘어센드 950PR’에 자체 개발 HBM 제품 ‘HiBL 1.0’을 탑재할 계획이다. 화웨이에 따르면 HiBL 1.0은 128기가바이트(GB) 용량에 최대 1.6TB/s의 대역폭을 제공한다. 화웨이의 주장대로라면 삼성전자와 SK하이닉스의 5세대 HBM3E 12단 대역폭 1.2TB/s를 뛰어넘는 성능이다.

업계에선 해당 제품이 4세대 제품에 가까울 것으로 예상하고 있지만, 자체 AI 칩에 특화된 ‘맞춤형 제품’이라는 점에서 국내 업계의 긴장감을 높이고 있다. 향후 HBM 시장이 고객사의 요구에 따라 맞춤형으로 제공되는 ‘커스터마이징 제품’으로 진화할 것이라고 전망되기 때문이다. 삼성전자와 SK하이닉스 역시 HBM4부터 본격적으로 맞춤형 생산을 시작할 예정이다.

로이터통신 등 외신은 이번 화웨이의 맞춤형 HBM 발표에 대해 중국 반도체 업계가 갖고 있던 성능 병목현상을 극복할 수 있다고 의미를 부여했다. 화웨이는 향후 제품별 HBM 라인업을 확대해 각 AI 반도체에 최적화된 메모리 솔루션을 제공한다는 계획이다.

중국 반도체 업체들은 차세대 메모리 시장에서도 영향력을 넓히고 있다. 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 이미 HBM3 샘플칩 개발을 완료했으며 내년 HBM3 양산, 2027년 HBM3E 양산을 목표로 하는 것으로 전해졌다.

중국의 ‘배터리 굴기’에 맞서 한국도 국가적 차원의 지원을 확대해야 한다는 목소리도 커지고 있다. 김세호 LG경영연구원 수석연구위원은 이날 한국배터리산업협회, 이연희 더불어민주당 의원 주최 국회토론회에서 “중국은 리튬, 흑연 등 배터리 원자재 정제·가공·완성품을 모두 장악했고, 4대 배터리 소재(양극재·음극재·전해액·분리막) 생산 능력의 70~97%까지 세계 시장에서 점유하고 있다”며 국가 연구·개발(R&D) 투자 강화, 정책 금융 확대 등 지원책을 강조했다. 안정혜 법무법인 율촌 변호사는 “한국 배터리 산업 경쟁력을 위한 ‘직접환급형 세액공제’ 제도 도입이 절실하다”고 말했다.

이용권 기자, 최지영 기자