젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO)가 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장, 최태원 SK그룹 회장과 대화하고 있다. 연합뉴스
젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO)가 이재용(오른쪽) 삼성전자 회장, 최태원 SK그룹 회장과 대화하고 있다. 연합뉴스

젠슨 황 “삼성에게 정말 감사”

삼성전자, HBM4 실물 칩 선봬

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 삼성전자가 엔비디아의 추론 전용 칩을 제조하고 있다며 감사를 표함에 따라 삼성전자와 엔베디아의 파운드리 부문 협력이 공식화 됐다. 이에 따라 삼성전자의 주가가 다시 한 번 탄력을 받을지 주목된다.

황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 연례 개발자 행사 ‘GTC 2026’ 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하며 “삼성이 우리를 위해 ‘그록(Groq)3’ 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다”며 “현재 최대한 빠르게 생산을 확대하고 있다. 삼성에게 정말 감사하다”고 밝혔다.

그록3 LPU는 엔비디아의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)와 함께 작동하며 AI 추론 성능과 효율성을 높이는 역할을 한다. 이번 발언을 통해 해당 칩이 삼성전자의 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 생산된다는 사실도 확인됐다. 이에 따라 삼성전자는 GPU용 고대역폭메모리(HBM)뿐 아니라 파운드리 분야에서도 엔비디아와 협력하고 있음을 대외적으로 드러났다.

삼성전자 역시 행사장 전시를 통해 엔비디아와의 협력을 적극적으로 강조했다. 회사는 차세대 고대역폭메모리 ‘HBM4E’의 실물 칩과 적층용 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음으로 공개하며 메모리 기술력을 선보였다.

HBM4E는 올 하반기 샘플 출하를 목표로 개발 중이며 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트)의 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산을 시작한 6세대 HBM4의 전송 속도 13Gbps, 대역폭 3.3TB/s보다 높은 수준이다.

삼성전자는 HBM4 양산을 통해 확보한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기술과 자사 파운드리의 4나노미터 공정 기반 베이스 다이 설계 역량을 활용해 HBM4E 개발을 가속화한다는 계획이다. 회사는 메모리와 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 결합한 협업을 통해 성능을 최적화하고 있다고 설명했다.

HBM4E 공개 시점 역시 전략적 행보로 해석된다. 삼성전자가 HBM4 양산 직후 곧바로 차세대 제품을 공개한 것은 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 강조하려는 의도로 풀이된다.

행사 전시에서는 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 통해 종합반도체기업(IDM)으로서의 경쟁력도 부각됐다. 또 열과 압력을 이용해 칩을 연결하는 기존 열압착접합(TCB)보다 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 적층을 지원하는 ‘하이브리드 구리 접합(HCB)’ 패키징 기술도 영상으로 소개됐다.

삼성전자는 엔비디아와 협력 관계를 보여주는 제품들도 전면에 배치했다. 엔비디아의 차세대 GPU ‘루빈’에 탑재되는 HBM4와 CPU ‘베라’용 서버 메모리 모듈 ‘소캠(SOCAMM)’, 기업용 6세대 SSD ‘PM1763’ 등을 함께 전시하며 ‘베라 루빈’ 플랫폼에 필요한 메모리를 모두 공급할 수 있다는 점을 강조했다.

한편 송용호 삼성전자 AI센터장은 17일 GTC에서 엔비디아 특별 초청 발표자로 나서, 엔비디아의 AI 인프라 발전을 지원하는 삼성전자 메모리의 ‘토털 솔루션’ 전략을 소개할 예정이다.

한편, 삼성전자 주가는 전 거래일 종가 기준 18만8700원을 기록하며 3월 12일부터 4거래일 연속 18만 원 대를 유지하고 있다.

김무연 기자
김무연

김무연 기자

디지털콘텐츠부 / 기자

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