삼성전자 “AGI 시대 열 고용량 HBM… 내년 16단 제품 개발”

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‘개발 주도’ 김경륜 상무 밝혀
전담팀 구성… “시장 이끌 것”

삼성전자가 범용인공지능(AGI) 시대 필수품인 고대역폭메모리(HBM)의 차세대 제품인 HBM4를 내년 개발할 계획이다. D램 여러 개를 쌓아 만드는 HBM4에는 16단 적층 기술이 적용돼 기존 제품 대비 성능이 확연히 개선될 전망이다.

김경륜(사진) 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리사업부 상품기획실 상무는 18일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 올라온 인터뷰에서 “다수의 빅테크 기업이 AGI 시대를 만들기 위해 경쟁적으로 인공지능(AI) 모델을 고도화하고 있다. 현재 AI 모델의 매개변수 수는 조 단위에 이르렀고, 원활한 데이터 처리를 위해서는 고용량의 HBM이 요구된다”며 “HBM4부터 로직 공정을 적용한 베이스 다이가 도입되면서 파워 월(프로세서와 메모리는 성능이 향상되면 각각 소모하는 전력량도 증가하는데 전체 시스템단의 파워는 한정돼 있어 각 칩 단위에서의 전력 효율 개선이 필요)을 해소하기 위한 첫 번째 혁신이 시작됐다면, 현재의 2.5D HBM에서 3D HBM으로 점차 진화하면서 두 번째 혁신을 맞이할 것”이라고 전망했다.

삼성전자는 고온 열 특성에 최적화된 NCF 조립 기술과 최첨단 공정 기술을 통해 차세대 HBM4에 16H(16단 적층) 기술까지 도입한다. 김 상무는 “HBM 시장은 아직 초기 단계라 HBM-PIM처럼 D램 셀과 로직이 더 섞이는 방향으로 진화하면서 세 번째 혁신을 맞이할 것”이라며 “메모리·파운드리(반도체 위탁 생산)·시스템LSI·첨단패키징(AVP) 등 종합 역량을 십분 활용하여 대응해 나갈 것이며, 차세대 HBM 전담팀도 구성했다. 고객·파트너와 논의를 통해 선제적으로 제품을 기획하고 준비해 시장을 열어나가겠다”고 강조했다.

이승주 기자 sj@munhwa.com